[发明专利]非易失性存储装置的交接点布局

摘要

本发明涉及非易失性存储装置的交接点布局，揭露一种装置及形成该装置的方法。该方法包括提供制备有存储单元区域的衬底以及形成存储单元对于该单元区域中。该存储单元对包括第一分离栅极存储单元以及第二分离栅极存储单元。各存储单元包括作为存取栅极的第一栅极，相邻于该第一栅极的第二栅极，该第二栅极作为存储栅极，第一S/D区域邻接该第一栅极以及第二S/D区域邻接该第二栅极。该方法还包括形成硅化物接触件于拾取点区域中的栅极导电体以及第一S/D区域以及暴露的掩埋共同的源线上的衬底上，以增加至一延伸位移距离DE的字元线以及源线区域中的位移距离，而避免该第一偏移存取栅极导电体以及存储单元对的行的相邻存取栅极导电体之间的短路。

主权项

1.一种形成装置的方法，其特征为，该方法包括：提供制备有一存储单元区域的一衬底；形成存储单元对于该存储单元区域中，该存储单元对排列于在一行方向上的存储单元对的行中以及在一列方向上的存储单元对的列中，其中，一存储单元对包括第一分离栅极存储单元以及第二分离栅极存储单元，其中，一存储单元包括：一第一栅极，其作为一存取栅极，一第二栅极，其相邻于该第一栅极，该第二栅极作为一存储栅极，一第一源/漏(S/D)区域，其相邻于该第一栅极，以及一第二源/漏(S/D)区域，其相邻于该第二栅极，该第二S/D区域为各存储单元对的该第一存储单元以及第二存储单元的一共同的S/D区域，该第二S/D区域延伸一行的一长度，并作为该存储单元对的该行的一共同的掩埋源线(SL)，该存取栅极以及存储栅极包括延伸该行的该长度的存取栅极导电体以及存储栅极导电体，形成该存储单元对的该行的存储单元的共同的第一栅极以及第二栅极，一阵列隔离区域，该阵列隔离区域在该行方向以及该列方向上隔离该存储单元对，以及一字元线与SL(WLSL)拾取点区域，其位于该存储单元的一行中，其中，该存储单元对的该行的该第一存储单元(第一存储栅极导电体)的该存储栅极导电体包括用于耦接至该存储单元对的该第二存储单元(第二存储栅极导电体)的该存储栅极导电体的第一交叉件以及第二交叉件，其中，该第一交叉件以及第二交叉件在没有该第一存储栅极导电体的该WLSL拾取点区域中生成一位移区域，该存储单元对(第一存取栅极导电体)的该第一存储单元的该存取栅极向该共同的掩埋SL偏移以占据由该第一存储栅极导电体所腾空的该位移区域，而形成一第一偏移存取栅极导电体，以及相邻于该第一偏移存取栅极导电体的存储单元对的一相邻行的该第一存储单元(第一相邻存取栅极导电体)的一相邻存取栅极导电体包括一法向位移距离DN于一非WLSL区域中以及一延伸位移距离DE于该WLSL区域中，其中，DE大于DN；以及形成硅化物接触件于拾取点区域中的栅极导电体以及第一S/D区域以及暴露的掩埋共同的源线(SL)上的衬底上，其中，增加至DE的WLSL区域中的位移距离以避免该第一偏移存取栅极导电体与存储单元对的该行的相邻存取栅极导电体之间的短路。