[发明专利]一种阵列基板制备方法、阵列基板及显示装置

摘要

本发明提供了一种阵列基板制备方法、阵列基板及显示装置。在本发明提供的阵列基板制备方法中，通过半色调掩膜板上的第一结构，对形成有第一光刻胶的钝化层进行曝光，在钝化层上第一结构的正投影区域形成过孔。并通过半色调掩膜板上的第二结构，对形成有第二光刻胶的导电层进行曝光，在导电层上第二结构的正投影区域形成公共电极。其中，该半色调掩膜板中半色调片的透过率介于该第一结构和该第二结构的透过率之间，且第一光刻胶和第二光刻胶为极性相反的光刻胶。从而可以通过该同一半色调掩膜板和两种相反极性的光刻胶，完成对钝化层过孔和导电层中公共电极的制备。进而可以减少制备阵列基板所需的掩膜板数量。

主权项

1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述方法包括：在钝化层上形成第一光刻胶；通过半色调掩膜板上的第一结构，对形成有第一光刻胶的钝化层进行曝光，在所述钝化层上所述第一结构的正投影区域形成过孔；在形成有过孔的钝化层上形成导电层；在所述导电层上形成第二光刻胶，通过所述半色调掩膜板上的第二结构，对形成有第二光刻胶的导电层进行曝光，在所述导电层上所述第二结构的正投影区域形成公共电极；其中，所述半色调掩膜板中半色调片的透过率介于所述第一结构的透过率和所述第二结构的透过率之间，所述第一光刻胶和所述第二光刻胶为极性相反的光刻胶。