[发明专利]掩模板及其制备方法、掩模板曝光系统、拼接曝光方法

摘要

本公开提供一种掩模板及其制备方法、掩模板曝光系统、以及拼接曝光方法，涉及半导体技术领域。所述掩模板包括掩模板本体以及位于掩模板本体的拼接曝光区域的紫外光吸收层；所述紫外光吸收层中紫外光吸收材料的含量在拼接曝光区域中沿预设方向递变，以使穿过该拼接曝光区域的紫外光透过率沿预设方向递变；其中，不同含量的紫外光吸收材料对应不同的紫外光透光率。本公开可避免拼接断裂缝的现象并提升拼接处的容错能力。

主权项

1.一种掩模板，其特征在于，包括掩模板本体以及位于所述掩模板本体的拼接曝光区域的紫外光吸收层；所述紫外光吸收层中紫外光吸收材料的含量在所述拼接曝光区域中沿预设方向递变，以使穿过所述拼接曝光区域的紫外光透过率沿所述预设方向递变；其中，不同含量的紫外光吸收材料对应不同的紫外光透光率。