[发明专利]激光照射装置在审
| 申请号： | 201780094234.9 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN111033715A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 山本淳司;佐塚祐贵;伊藤大介 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;B23K26/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明解决的问题在于提供一种能够提高基片处理精度的激光照射装置。一种实施方式的激光照射装置(1)包括：用于在基片(S)上施加激光(L1)的激光照射单元(3)；基部(4)；以及用于传送所述基片(S)的传送台(5)。该传送台(5)包括：构造为可在所述基部(4)上方移动的载台(10)；固定在所述载台(10)上的底部法兰(11)；固定于所述底部法兰(11)上端的基片台(12)，该基片台构造为供所述基片(S)置于其上；以及用于支撑所述基片且可垂向移动的推顶销(13)，该推顶销构造为穿过所述基片台(12)。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 照射 装置 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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