[发明专利]半绝缘性化合物半导体基板和半绝缘性化合物半导体单晶有效
| 申请号： | 201780090780.5 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN110621813B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 桥尾克司;鸿池一晓;柳泽拓弥 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B29/42 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;牛嵩林 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半绝缘性化合物半导体基板，其包含半绝缘性化合物半导体，所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的110方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的100方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘性 化合物 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种半绝缘性化合物半导体基板，其包含半绝缘性化合物半导体，其中，/n所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：/n在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的<110>方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的<100>方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下。/n
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