[发明专利]锆前体、铪前体、钛前体及使用其沉积含第4族的膜

摘要

披露了形成含第4族过渡金属的膜的组合物，这些组合物包含具有下式的第4族过渡金属前体：L‑M‑C5R3‑I‑[(ER2)m‑(ER2)n‑L']‑2‑[(ER2)o‑(ER2)p‑L']‑和L‑M‑C5R3‑1‑[(ER2)m‑(ER2)n)‑L']‑3‑[(ER2)o‑(ER2)p‑L']‑，其中M为Ti、Zr或Hf；每个E独立地为C、Si、B或P；m和n独立地为0、1或2；m+n1；o和p独立地为0、1、或2；o+p1；每个R独立地为氢或C1‑C4烃基；每个L独立地为选自由以下组成的组的‑1阴离子配体：NR'2、OR'、Cp、脒基、β‑二酮或酮亚胺，其中R'为H或C1‑C4烃基；并且每个L'独立地为NR”或0，其中R”为H或C1‑C4烃基。还披露了合成和使用所披露的前体以经由气相沉积过程在一个或多个基材上沉积含第4族过渡金属的膜的方法。

主权项

1.一种形成含第4族过渡金属的膜的组合物，该组合物包含具有下式的第4族过渡金属前体：L‑M‑C₅R₃‑1‑[(ER₂)_m‑(ER₂)_n‑L′]‑2‑[(ER₂)_o‑(ER₂)_p‑L′]‑和L‑M‑C₅R₃‑1‑[(ER₂)_n‑(ER₂)_m)‑L′]‑3‑[(ER₂)_o‑(ER₂)_p‑L′]‑，分别指的是以下结构式：其中M为以η⁵键合模式键合至Cp基团的Ti、Zr或Hf；每个E独立地为C、Si、B或P；m和n独立地为0、1或2；m+n>1；o和p独立地为0、1、或2；o+p>1；每个R独立地为氢或C₁‑C₄烃基；每个L独立地为‑1阴离子配体；并且每个L′独立地为NR″或O，其中R″是H或C₁‑C₄烃基。