[发明专利]选择性蚀刻速率监控器有效
| 申请号： | 201780069691.2 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109937471B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 菲利普·艾伦·克劳斯;蒂莫西·L·富兰克林 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式包括即时蚀刻速率传感器和使用即时蚀刻速率传感器的方法。在一个实施方式中，即时蚀刻速率传感器包括共振系统和导电壳体。共振系统可包括：共振体；第一电极，所述第一电极形成在共振体的第一表面之上；第二电极，所述第二电极形成在共振体的第二表面之上；和牺牲层，所述牺牲层形成在第一电极之上。在一个实施方式中，第一电极的至少一部分未被牺牲层覆盖。在一个实施方式中，导电壳体可固定共振系统。另外，导电壳体接触第一电极，且导电壳体的内部边缘的至少一部分可与牺牲层隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 蚀刻 速率 监控器 | ||
【主权项】：
1.一种即时蚀刻速率传感器，包括：共振系统，包括：共振体；第一电极，所述第一电极形成在所述共振体的第一表面之上；第二电极，所述第二电极形成在所述共振体的第二表面之上；和牺牲层，所述牺牲层形成在所述第一电极之上，其中所述第一电极的至少一部分未被所述牺牲层覆盖；和导电壳体，所述导电壳体用于固定所述共振系统，其中所述导电壳体接触所述第一电极，且其中所述导电壳体的内部边缘的至少一部分与所述牺牲层隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
