[发明专利]用于多层互连半导体晶片的同轴连接器穿通件在审
| 申请号： | 201780051951.3 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109643687A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | J·J·德拉布;M·A·手柴 | 申请（专利权）人： | 雷声公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/84;H01L23/48;H01L27/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李隆涛 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体绝缘体上硅(SOI)结构，具有设置在底部氧化物(BOX)绝缘层上的硅层。深槽隔离(DTI)材料垂直穿过硅层至底部氧化物绝缘层。深槽隔离材料具有比硅的介电常数小的介电常数。同轴传输线具有内部电导体和绕内部电导体设置的外部导电屏蔽结构，同轴传输线垂直通过深槽隔离材料，以使在底部氧化物绝缘层之上设置的电导体电连接到触头底部氧化物绝缘层之下设置的电导体。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 底部氧化物 深槽隔离 内部电导体 同轴传输线 介电常数 电导体 硅层 半导体绝缘体 半导体晶片 同轴连接器 垂直穿过 导电屏蔽 多层互连 穿通件 电连接 触头 垂直 外部 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：底部氧化物绝缘层；设置在底部氧化物绝缘层上的硅层；垂直穿过所述硅层至所述底部氧化物绝缘层的深槽隔离(DTI)材料，所述深槽隔离材料具有比所述硅层的介电常数低的介电常数；以及同轴传输线，所述同轴传输线具有内部电导体和绕所述内部电导体设置的外部导电屏蔽结构，所述同轴传输线垂直穿过深槽隔离材料，以使在底部氧化物绝缘层之上设置的电导体电连接到触头底部氧化物绝缘层之下设置的电导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
