[发明专利]具有侧面扩散的沟槽插塞的半导体器件有效
| 申请号： | 201780045586.5 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN109643686B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 沈明德;张庭芳;吕奎良;林文彬 | 申请（专利权）人： | 力特保险丝公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件结构，可以包括衬底，该衬底具有包括第一掺杂剂类型的衬底基底；部署在衬底基底的表面上的半导体层，该半导体层包括第二掺杂剂类型并具有上表面；以及半导体插塞组件，包括部署在半导体层内的半导体插塞，该半导体插塞从半导体层的上表面起延伸并且具有至少等于半导体层的厚度的深度，半导体插塞具有第一边界并且具有第二边界，该第一边界在半导体层内形成，该第二边界在半导体层内形成并且部署成与第一边界相对，其中第一边界和第二边界垂直于衬底基底的表面延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 侧面 扩散 沟槽 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构，包括：衬底，具有包括第一掺杂剂类型并且具有衬底基底表面的衬底基底；半导体层，部署在衬底基底表面上，该半导体层包括第二掺杂剂类型并且具有上表面；以及半导体插塞组件，包括部署在半导体层内的半导体插塞，该半导体插塞从半导体层的上表面起延伸并且具有至少等于半导体层的厚度的深度，所述半导体插塞具有第一边界和与第一边界相对的部署的第二边界，第一边界和第二边界在半导体层内形成，其中第一边界和第二边界垂直于衬底基底表面延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
