[实用新型]一种具有反向耐压高的肖特基瓷整流桥有效
申请号: | 201721880102.2 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN207690792U | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 董晶晶;李航 | 申请(专利权)人: | 深圳市强元芯电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人: | 彭西洋;苏芳 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种具有反向耐压高的肖特基瓷整流桥,包括第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架、4个整流芯片、4个连接引线、封装机构;所述对应的每一整流芯片的一端分别连接在第一上框架、第二上框架、第二下框架上;所述第一上框架、第二上框架上的整流芯片的另外一端通过对应的连接引线与第一下框架连接;本实用新型具有结构简单、散热效果好、整流芯片工作稳定、整流芯片开关频率高、整流芯片反向耐压高的优点,并在整流桥技术领域具有广泛的生产及应用价值。 | ||
搜索关键词: | 整流芯片 上框架 下框架 反向耐压 连接引线 肖特基 整流桥 本实用新型 封装机构 工作稳定 开关频率 散热效果 应用 生产 | ||
【主权项】:
1.一种具有反向耐压高的肖特基瓷整流桥,其特征在于,包括第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架、4个整流芯片、4个连接引线、封装机构;所述对应的每一整流芯片的一端分别连接在第一上框架、第二上框架、第二下框架上;所述第一上框架、第二上框架上的整流芯片的另外一端通过对应的连接引线与第一下框架连接;所述第二下框架上整流芯片的另外一端,均通过对应的另一连接引线分别与第一上框架、第二上框架连接;所述每一整流芯片通过第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架及每一连接引线连接构成一整流桥;所述封装机构封装第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架,且第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架均从封装机构延伸出一引脚。
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