[实用新型]一种氧化锌电阻片铝电极多工位旋转喷镀装置有效
申请号: | 201721866502.8 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN207966617U | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 黄俊逸;李琰;杨涛;谢园园;闫佳佳;王延博;王壮壮 | 申请(专利权)人: | 南阳金牛电气有限公司 |
主分类号: | H01C17/075 | 分类号: | H01C17/075 |
代理公司: | 南阳市智博维创专利事务所 41115 | 代理人: | 杨士钧 |
地址: | 474750 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种氧化锌电阻片铝电极多工位旋转喷镀装置,包括用于放置氧化锌电阻片的多工位自动转盘和分别设于所述多工位自动转盘两端的上料传送带和下料传送带,所述多工位自动转盘表面依次设有用于上料的上料机械手、用于喷镀的喷枪、用于电阻片翻转方向的翻转机械手及用于取料的下料机械手;所述多工位自动转盘将氧化锌电阻片旋转至喷枪下方,喷镀结束后通过翻转机械手翻转方向,再次旋转至喷枪下方喷镀另一面,完成喷镀后通过下料机械手传递至下料传送带进行下一工序。本实用新型不仅保证了电阻片端面的外观质量,提高了电阻片的性能参数,节约企业人工成本,材料成本使企业的效益得到大幅提高。 | ||
搜索关键词: | 多工位 氧化锌电阻片 自动转盘 喷镀 电阻片 喷枪 本实用新型 翻转机械手 下料传送带 下料机械手 喷镀装置 铝电极 翻转 上料传送带 上料机械手 材料成本 人工成本 性能参数 取料 上料 传递 节约 保证 | ||
【主权项】:
1.一种氧化锌电阻片铝电极多工位旋转喷镀装置,其特征在于:包括用于放置氧化锌电阻片的多工位自动转盘和分别设于所述多工位自动转盘两端的上料传送带和下料传送带,所述多工位自动转盘表面依次设有用于上料的上料机械手、用于喷镀的喷枪、用于电阻片翻转方向的翻转机械手及用于取料的下料机械手;所述多工位自动转盘将氧化锌电阻片旋转至喷枪下方,喷镀结束后通过翻转机械手翻转方向,再次旋转至喷枪下方喷镀另一面,完成喷镀后通过下料机械手传递至下料传送带进行下一工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南阳金牛电气有限公司,未经南阳金牛电气有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721866502.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种避雷器杜力顿芯组缠绕机
- 下一篇:一种线圈骨架与接线柱的连接结构
- 同类专利
- 一种氧化锌电阻片铝电极多工位旋转喷镀装置-201721866502.8
- 黄俊逸;李琰;杨涛;谢园园;闫佳佳;王延博;王壮壮 - 南阳金牛电气有限公司
- 2017-12-27 - 2018-10-12 - H01C17/075
- 本实用新型公开了一种氧化锌电阻片铝电极多工位旋转喷镀装置,包括用于放置氧化锌电阻片的多工位自动转盘和分别设于所述多工位自动转盘两端的上料传送带和下料传送带,所述多工位自动转盘表面依次设有用于上料的上料机械手、用于喷镀的喷枪、用于电阻片翻转方向的翻转机械手及用于取料的下料机械手;所述多工位自动转盘将氧化锌电阻片旋转至喷枪下方,喷镀结束后通过翻转机械手翻转方向,再次旋转至喷枪下方喷镀另一面,完成喷镀后通过下料机械手传递至下料传送带进行下一工序。本实用新型不仅保证了电阻片端面的外观质量,提高了电阻片的性能参数,节约企业人工成本,材料成本使企业的效益得到大幅提高。
- 薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法-201710304118.7
- 罗彦军;芮家群;韩玉成;郑奔;程德雁;希毅;侯本昌 - 中国振华集团云科电子有限公司
- 2017-05-03 - 2018-08-14 - H01C17/075
- 本发明提供了一种薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法,涉及电子元件领域。该薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法通过依据放大倍数利用激光调阻系统再次对一薄膜电阻的膜层进行再次气化切除,其中,若放大倍数在第二阈值范围时,再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在‑0.15%~0.05%之间;若放大倍数在第三阈值范围时,再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在‑0.25%~0.15%之间,从而极大地提供了L级产品的对准率以及合格率。
- 基片表面处理工艺方法及芯片电容、薄膜电阻制作工艺方法-201711262861.7
- 何创创;韩玉成;郭海明;应建;居奎;班秀峰 - 中国振华集团云科电子有限公司
- 2017-12-04 - 2018-03-23 - H01C17/075
- 本发明提供了一种基片表面处理工艺方法及芯片电容、薄膜电阻制作工艺方法,涉及电子元件制造领域。该基片表面处理工艺方法通过在预设定第一温度下,采用单片烧结的方式对陶瓷生胚进行烧结形成陶瓷基片;对烧结后的陶瓷基片进行喷砂处理,采用单片烧结的方式,在烧结的过程中,无需加入隔粘粉,从而减少了陶瓷基片的表面粗糙度、以及提升了陶瓷基片的表面平整度,有效地去除了陶瓷基片表面的凸脊、瓷疱、毛刺、针孔以及斑点,并且通过对烧结后的陶瓷基片进行喷砂处理,更进一步地去除了陶瓷基片表面的凸脊、瓷疱、毛刺、针孔、斑点和划痕,由于外观质量合格率的提升,在生产大量的陶瓷基片时,大大减少了陶瓷基片、芯片电容以及薄膜电阻的生产成本。
- 一种离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法-201410662340.0
- 庄彤;丁明建;李杰成;李锦添;杨俊峰 - 广州天极电子科技有限公司
- 2014-11-19 - 2017-11-07 - H01C17/075
- 本发明公开一种离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法,将需要注入氮离子的氮化钽薄膜电阻放置于离子注入设备的工件放置区,将离子注入设备抽真空达到1.0×10‑4‑1.0×10‑5Pa之间,向离子注入设备中充入纯度大于等于99.99%的高纯氮气,使离子注入腔体的真空度维持在0.1‑10Pa之间,启动注入电源,氮气电离,氮离子进入氮化钽薄膜,即完成注入,关闭离子注入电源,腔体继续充入氮气直到1.01×105Pa,打开腔体,取出薄膜电阻器;该离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法通过离子注入调控N原子的含量,从而达到控制氮化钽薄膜电阻器电阻值的目的。
- 薄膜电阻器制法-201410177963.9
- 王高源;陈惠如;庄乃川 - 华新科技股份有限公司
- 2014-04-29 - 2017-10-10 - H01C17/075
- 本发明公开一种薄膜电阻器制法,于一基板上依序形成电极图案及覆盖一电阻层之后,以镀膜方式在该电阻层上覆盖图案化完成的一无机保护层,并以该无机保护层作为蚀刻该电阻层时的遮罩,经蚀刻完成后,该无机保护层不需移除而保留覆盖在该电阻层的上方,当一有机保护层再形成于该无机保护层上方后,该电阻层上方形成双层式的保护结构,提高保护效果,防止该电阻层因外界环境因素所导致的电阻值改变问题。
- 一种高精度稳定铬硅薄膜电阻生产装置-201621359218.7
- 陈小诚 - 盛雷城精密电阻(江西)有限公司
- 2016-12-12 - 2017-08-25 - H01C17/075
- 本实用新型涉及电阻生产技术领域,具体涉及一种高精度稳定铬硅薄膜电阻生产装置,包括工作台、支撑杆、减震部分和散热部分;本实用新型在工作台的下方设置散热槽,在散热槽内设置水冷管道,当工作台需要散热降温时,打开水阀实现水冷降温,用上端支撑杆通过主减震弹簧与下端支撑杆相连,并在上端支撑杆上套设滑动安装头,滑动套壳可在上端支撑杆上移动,支撑板与支撑台之间用缓冲弹簧连接,且缓冲弹簧的长度小于支撑台与所述支撑板之间的最大距离,当工作台受到较小冲击力时,由于力的作用会压缩缓冲弹簧向下运动,实现减震效果,当受力比较大时,由主减震弹簧完成较大冲击力的缓冲,可保证缓冲的安全和稳定,具有很强的实用性。
- 一种稳定掺杂降低石墨烯薄膜方块电阻的方法-201410805775.6
- 黄德萍;姜浩;朱鹏;李占成;张永娜;高翾;史浩飞 - 中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆墨希科技有限公司
- 2014-12-22 - 2015-05-27 - H01C17/075
- 本发明涉及一种稳定掺杂降低石墨烯薄膜方块电阻的方法,其特征在于,包括以下步骤:将转移在基底上的石墨烯薄膜与含有稳定掺杂剂成分的试剂进行相互接触,接触时间为1~240min,实现对石墨烯薄膜进行稳定掺杂,降低石墨烯薄膜方块电阻。通过本发明对石墨烯薄膜进行处理之后,在基本不影响石墨烯薄膜透光率的情况下,不仅可以降低其方阻,更为重要的是可以使石墨烯薄膜的方阻长期保持稳定,且在80~120摄氏度高温烘烤60~240min及长期放置下,方阻变化不大,从而方便后续进行图案化等处理,促进石墨烯薄膜在显示技术等对透明导电薄膜的方阻和透光率要求较高的工业领域进行广泛应用。
- 一种调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法-201410224666.5
- 庄彤;杨俊锋;李杰成;庄严 - 广州天极电子科技有限公司
- 2014-05-27 - 2014-08-06 - H01C17/075
- 本发明公开了一种调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法,包括:将需要调控的氮化钽薄膜电阻放置于管式气氛炉内;将管式气氛炉的炉口密封好,并连接上真空泵;启动真空泵对管式气氛炉进行抽气,直到管式气氛炉内的气体压强小于或等于1Pa;向管式气氛炉的炉管内通入纯度大于或等于99.99%的氮气,并使炉管内气体压强维持在1.01×105Pa;对管式气氛炉进行加热,加热到炉管内温度为50℃~600℃,然后进行保温,保温时间为5分钟~60分钟;停止加热,关闭氮气,取出热氮化处理后的氮化钽薄膜电阻;对热氮化处理后的氮化钽薄膜电阻的氮原子含量和阻值进行测量对比。本发明步骤简单,操作方便,提高了生产效率,保障了产品结构的完整性和性能的稳定性。
- 薄膜电阻器的制造方法-201010170233.8
- 叶德强;匡训沖;刘铭棋;喻中一;赵治平;亚历山大·卡尼斯基 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2010-04-27 - 2011-07-20 - H01C17/075
- 本发明提供一种薄膜电阻器的制造方法,包括:形成一掺杂区于一半导体基板中;形成一介电层于该基板上;形成一薄膜电阻器于该介电层上;于该薄膜电阻器进行回火之前,形成一接触孔于该介电层中,其中该接触孔露出一部分的该掺杂区;以及于形成该接触孔之后,对该薄膜电阻器实施一快速热回火。本发明可减少工艺时间,且经调整后的薄膜电阻器(TFR)特性不会因后续第二次的回火步骤而受影响。
- 专利分类