[实用新型]基于复合电抗式LC滤波网络的超宽带堆叠功率放大器有效
| 申请号： | 201721727035.0 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN207732732U | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 滑育楠;邬海峰;廖学介;王测天;陈依军;胡柳林;吕继平;童伟;吴曦;杨云婷 | 申请（专利权）人： | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H03F1/42 | 分类号： | H03F1/42;H03F1/56;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李林合 |
| 地址： | 610016 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于复合电抗式LC滤波网络的超宽带堆叠功率放大器，包括宽带均衡输入匹配网络、双路三堆叠功率放大网络、复合电抗式LC滤波宽带输出匹配网络、第一供电偏置网络以及第二供电偏置网络。本实用新型采用三堆叠晶体管放大网络实现超宽带放大器的放大功能，提高了功率放大器的功率增益和功率容量，利用复合电抗式LC滤波宽带输出匹配网络实现功率放大器的超宽带输出匹配，利用宽带均衡输入匹配网络实现功率放大器的超宽带输入匹配，在保证低插损和高效率的前提下大大提升了放大器的宽带增益和宽带功率特性。本实用新型工作带宽极宽、效率高、增益平坦度好、面积小。 | ||
| 搜索关键词： | 功率放大器 超宽带 电抗 本实用新型 堆叠 宽带 复合 输入匹配网络 宽带输出 滤波网络 匹配网络 偏置网络 滤波 放大器 均衡 超宽带放大器 功率放大网络 堆叠晶体管 增益平坦度 供电 放大功能 工作带宽 功率容量 功率增益 宽带功率 输出匹配 输入匹配 网络实现 高效率 插损 双路 放大 保证 | ||
【主权项】：
1.基于复合电抗式LC滤波网络的超宽带堆叠功率放大器，其特征在于，包括宽带均衡输入匹配网络、双路三堆叠功率放大网络、复合电抗式LC滤波宽带输出匹配网络、第一供电偏置网络以及第二供电偏置网络；所述宽带均衡输入匹配网络的输入端为整个所述功率放大器的输入端，所述复合电抗式LC滤波宽带输出匹配网络的输出端为整个所述功率放大器的输出端；所述双路三堆叠功率放大网络的第一输入端与宽带均衡输入匹配网络的第一输出端连接，其第二输入端与宽带均衡输入匹配网络的第二输出端连接，其第一输出端与复合电抗式LC滤波宽带输出匹配网络的第一输入端连接，其第二输出端与复合电抗式LC滤波宽带输出匹配网络的第二输入端连接；所述第一供电偏置网络分别与宽带均衡输入匹配网络、双路三堆叠功率放大网络以及复合电抗式LC滤波宽带输出匹配网络连接；所述第二供电偏置网络分别与宽带均衡输入匹配网络、双路三堆叠功率放大网络以及复合电抗式LC滤波宽带输出匹配网络连接。
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- 2015-08-25 - 2018-10-16 - H03F1/42
- 本发明公开了一种带有输出到输入反馈的宽带低噪声放大器，包括输入端、输出端、放大电路和输出到输入反馈环路。其中放大电路用于从所述输入端接收射频信号并将其放大后输出至所述输出端。输出到输入反馈环路用于将经所述放大电路放大的信号反馈至所述输入端，其包括：第一NMOS晶体管，其漏端和栅端与所述放大电路的输出端相连，源端接地；第二NMOS晶体管，其漏端与所述输入端相连；以及电感，一端与所述第一NMOS晶体管的栅端相连，另一端与所述第二NMOS晶体管的源端相连。本发明的低噪声放大器可摆脱无源器件对频率的限制，实现宽带的频谱响应。
- 适用于西格玛德尔塔调制器的增益增强型运算放大器-201510640827.3
- 肖夏;张庚宇 - 天津大学
- 2015-09-30 - 2018-10-16 - H03F1/42
- 本发明涉及大规模集成电路，为提高放大器的直流增益,同时增加放大器的增益带宽积,最终实现在同等芯片面积的条件下，提高放大器的直流增益和带宽。为此,本发明采取的技术方案是，适用于西格玛德尔塔调制器的增益增强型运算放大器，由Recycling folded cascode放大级、输出电阻增强环路、跨导增强环路和共模反馈级组成；输入差模信号Vin‑和Vin+经过Recycling folded cascode放大级后，再经过输出电阻增强环路级和跨导增强环路级的交叉正反馈作用后，然后经过cascode电流镜的电流倍增作用到输出端Vout‑和Vout+。本发明主要应用于大规模集成电路设计制造。
- 一种X波段GaN HEMT功率器件直流偏置电路-201510695689.9
- 黄硕;董硕;赵涛;姚崇斌;吕利清;洪晨晖;刘鹏飞 - 上海航天测控通信研究所
- 2015-10-23 - 2018-10-12 - H03F1/42
- 本发明公开了一种X波段GaN HEMT功率器件直流偏置电路，该电路包括栅极偏置电路和漏极偏置电路，其中：所述栅极偏置电路包括电容C1、C3，电阻R1及扼流滤波电路K1，用于对X波段GaN HEMT功率器件提供合适的栅极电压；所述漏极偏置电路包括电容C2、C4，电阻R2及扼流滤波电路K2，用于对X波段GaN HEMT功率器件提供合适的漏极电压。本发明有效解决了X波段GaN HEMT功率器件在测试、使用时的直流偏置问题，特别是解决传统直流偏置电路无法获得较宽的工作带宽及较好微波扼流性能的问题。
- 有源偏置达林顿结构放大器-201721899821.9
- 罗孝均;邓攀;朱世贵;胡强;侯堃 - 成都华光瑞芯微电子股份有限公司
- 2017-12-29 - 2018-09-14 - H03F1/42
- 本实用新型涉及电子通信领域，具体涉及一种有源偏置达林顿结构放大器，其提供一种有源偏置达林顿结构放大器，包括有源偏置电路、放大电路和耦合电路；所述有源偏置电路用于增强放大电路的电流稳定性；所述放大电路用于对电路输入信号进行放大；所述耦合电路用于隔断外部电压；所述有源偏置电路、放大电路以及耦合电路电连接。本实用新型采用有源偏置达林顿结构放大器，使放大管电流稳定性增强，有效抵御高低温下的电流变化，从而保证电路在宽温度范围内的稳定工作，有效减小放大器的噪声并拓宽放大增益带宽。
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