[实用新型]一种IGBT封装结构有效
| 申请号： | 201721366059.8 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN207690780U | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 龙立 | 申请（专利权）人： | 广东瑞森半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/28;H01L23/373 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及晶体管技术领域，具体涉及一种IGBT封装结构，包括底板、焊接于底板上端的DCB层、焊接于DCB层上端的IGBT芯片，所述DCB层从下到上依次为铜层、陶瓷层、铝层，本实用新型通过设置底板及焊接于底板的DCB层，在DCB层上焊接芯片，使得IGBT器件有更高效的散热性能，且该结果简单，易于封装；另外，本实用新型通过使用铜层、陶瓷层、铝层构成DCB层，保证高效散热性能的同时，减轻了器件的重量，适应了电子期间轻量化的潮流，增加了市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 底板 焊接 本实用新型 陶瓷层 上端 铝层 铜层 晶体管技术 市场竞争力 高效散热 散热性能 轻量化 封装 芯片 潮流 保证 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT封装结构，其特征在于：包括底板、焊接于底板上端的DCB层、焊接于DCB层上端的IGBT芯片，所述DCB层从下到上依次为铜层、陶瓷层、铝层，所述陶瓷层为氮化铝层或氮化硼层，所述底板的厚度与DCB层的厚度之和为10mm，所述DCB层中铜层、陶瓷层及铝层的厚度比为1：5：1。
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