[实用新型]测试连线结构及半导体测试结构有效
| 申请号： | 201721331718.4 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN207781585U | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 牛刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种测试连线结构及半导体测试结构，测试连线结构包括：第一金属层，包括若干个间隔排布的第一金属块；第二金属层，平行设置于第一金属层上方，包括若干个间隔排布的第二金属块，且第二金属块与第一金属块呈交替间隔排布；若干个连接通孔，设置于相邻的第一金属块与第二金属块之间，第一金属块、连接通孔、第二金属块首尾连接构成所述测试连线结构。通过上述方案，本实用新型的测试连线结构可以减小连接线中的电流密度、抵消金属热电阻，延迟测试连接线结构的烧断；本实用新型的半导体测试结构，可以进行高压半导体器件产品等的硬击穿测试，从而有效的进行产品的可靠性评估。 | ||
| 搜索关键词： | 金属块 连线结构 测试 半导体测试结构 本实用新型 第一金属层 间隔排布 连接通孔 高压半导体器件 交替间隔排布 连接线 第二金属层 金属热电阻 可靠性评估 连接线结构 平行设置 首尾连接 延迟测试 硬击穿 减小 烧断 抵消 | ||
【主权项】：
1.一种测试连线结构，用于实现不同结构之间的电连接，其特征在于，包括：第一金属层，包括若干个间隔排布的第一金属块；第二金属层，平行设置于所述第一金属层上方，包括若干个间隔排布的第二金属块，且所述第二金属块与所述第一金属块呈交替间隔排布，其中，所述第一金属块及所述第二金属块的长度均小于布莱什特征长度；若干个连接通孔，设置于相邻的所述第一金属块与所述第二金属块之间，所述第一金属块、所述连接通孔、所述第二金属块首尾连接构成所述测试连线结构。
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