[实用新型]晶圆处理装置有效
| 申请号： | 201721232703.2 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN207250467U | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 薛荣华;阚保国;刘家桦 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 223300 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理装置。所述晶圆处理装置，包括一腔室，还包括一阀门组件，所述阀门组件安装于所述腔室与一腔体压力计之间，用于隔断所述腔室与所述腔体压力计之间的气路连接。本实用新型在腔体压力计进行更换时，不再需要对腔室进行排气处理，避免了在排气过程中外界空气进入对晶圆的污染；而且不需要在更换腔体压力计时对腔室进行清洗维护，有效避免了非正常状态下的反映腔室排气而导致的非周期性维护，从而降低了晶圆的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆处理装置，包括一腔室，其特征在于，还包括一阀门组件，所述阀门组件安装于所述腔室与一腔体压力计之间，用于隔断所述腔室与所述腔体压力计之间的气路连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
