[实用新型]基板氧化组件有效
| 申请号： | 201721177346.4 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN208336146U | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·S·奥尔森;泰万·基姆 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/02;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容涉及用于高纵横比共形自由基氧化的蒸汽氧化反应，基板氧化组件包括：界定处理容积的腔室主体；设置在处理容积中的基板支撑件；耦接到处理容积的等离子体源；流动耦接到处理容积的蒸汽源；和基板加热器。半导体器件包括含硅和氮层；在含硅和氮层中形成的具有至少40:1的纵横比的特征；以及在特征面上的氧化层，所述氧化层在含硅和氮层的底部区域中具有的厚度是顶部区域中的氧化层的厚度的至少95％。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化层 氮层 氧化组件 基板 半导体器件 等离子体源 基板加热器 基板支撑件 自由基氧化 底部区域 顶部区域 高纵横比 腔室主体 氧化反应 蒸汽源 纵横比 共形 界定 蒸汽 流动 | ||
【主权项】：
1.一种基板氧化组件，其特征在于，包括：腔室主体，界定处理容积；基板支撑件，设置在所述处理容积中；等离子体源，耦接至所述处理容积；蒸汽源，流体耦接至所述处理容积；以及基板加热器，能够加热至700℃与1100℃之间。
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