[实用新型]一种SOT26高密度框架有效
| 申请号： | 201720739565.0 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN206834172U | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 罗天秀;樊增勇;张明聪;许兵;李宁 | 申请（专利权）人： | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所51221 | 代理人： | 王芸,熊晓果 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种SOT26高密度框架，包括矩形片状结构的框架，在框架上设有多个与SOT26封装结构相适应的芯片安装部，在框架上布置多列芯片单元，在每列芯片单元内设多排芯片安装部，每排设置3个芯片安装部，每个芯片安装部内设有2个芯片安置区，还设有引脚焊接区，所述引脚焊接区为精压压制而成。该框架将引脚焊接区用精压压制而成，提高焊线效率和焊线质量，将传统的单排布置2个芯片安装部调整为3个，并在单个芯片安装部内设置2个芯片安置区，提高芯片布置量，提高材料利用率、节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sot26 高密度 框架 | ||
【主权项】：
一种SOT26高密度框架，包括矩形片状结构的框架，在框架上设有多个与SOT26封装结构相适应的芯片安装部，其特征在于，在框架上布置多列芯片单元，在每列芯片单元内设多排芯片安装部，每排设置3个芯片安装部，每个芯片安装部内设有2个芯片安置区，还设有引脚焊接区，所述引脚焊接区为精压压制而成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都先进功率半导体股份有限公司，未经成都先进功率半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720739565.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于无功补偿模块的散热装置
- 下一篇：一种DFN1610高密度框架
