[实用新型]基于台阶结构的发光二极管有效
| 申请号： | 201720544312.8 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN207021280U | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 乔丽萍 | 申请（专利权）人： | 西藏民族大学 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 712082 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于台阶结构的发光二极管10，包括单晶Si衬底11第一Ge层12，设置于单晶Si衬底11表面；Ge基台阶结构13，设置于第一Ge层12表面的中心位置处；正电极14，设置于第一Ge层12的上表面并位于台阶结构13两侧的位置处；负电极15，设置于台阶结构13的上表面；钝化层16，设置于第一Ge层(12)和Ge基台阶结构(13)的上表面以及正电极(14)和Ge基台阶结构(13)的中间，以形成发光二极管10。本实用新型台阶结构的发光二极管，Si衬底上外延Ge层，制备出高质量GeSn层，极大地提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 台阶 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种基于台阶结构的发光二极管(10)，其特征在于，包括：单晶Si衬底(11)；第一Ge层(12)，设置于所述单晶Si衬底(11)上表面；Ge基台阶结构(13)，设置于所述第一Ge层(12)上表面的中心位置处；正电极(14)，设置于所述第一Ge层(12)的上表面并位于所述Ge基台阶结构(13)两侧的位置处；负电极(15)，设置于所述Ge基台阶结构(13)的上表面；钝化层(16)，设置于所述第一Ge层(12)和所述Ge基台阶结构(13)的上表面以及所述正电极(14)和所述Ge基台阶结构(13)的中间，以形成所述发光二极管(10)。
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