[实用新型]成像传感器和成像像素有效
申请号: | 201720516705.8 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN206742242U | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
发明(设计)人: | V·克洛伯夫;R·M·奎达什 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种图像传感器和成像像素,所述图像传感器可包括具有浮动扩散区的对称成像像素。所述浮动扩散区可形成在所述成像像素的中心中。浅p阱可围绕所述浮动扩散区形成。被配置为将电荷从光电二极管转移到所述浮动扩散区的转移门可为具有与所述浮动扩散区重叠的开口的环形形状。包括深沟槽隔离和p阱的隔离区可围绕所述成像像素的光电二极管。p条带可将围绕所述浮动扩散区的所述浅p阱耦接到所述隔离区。相邻像素的浮动扩散区可采用附加的导电层耦接在一起以实现共享配置。 | ||
搜索关键词: | 成像 传感器 像素 | ||
【主权项】:
一种成像像素,包括:光电二极管;至少部分地围绕所述光电二极管的隔离区;浮动扩散区;转移晶体管,所述转移晶体管被配置为将电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散区,其中所述转移晶体管包括具有开口的转移门,并且其中所述浮动扩散区形成在所述转移门中的所述开口的下方;以及在所述隔离区和所述浮动扩散区之间的p型掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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