[实用新型]非易失性存储器设备

摘要

本公开涉及一种非易失性存储器设备，该非易失性存储器设备包括至少一个存储器单元(CEL)，该至少一个存储器单元包括选择晶体管(TRS)，该选择晶体管包括嵌入在半导体衬底区域(SB1，SB2)中的绝缘选择栅极(SG)；半导体源极区域(S)，该半导体源极区域与该嵌入式绝缘选择栅极的下部(31)接触；状态晶体管(TR)，该状态晶体管包括具有嵌入在该衬底区域中在该嵌入式绝缘选择栅极的上部(30)上方的至少一个绝缘部分(10)的浮栅(FG)、半导体漏极区域(D1，D2)、以及与该浮栅绝缘并且部分地位于该浮栅上方的控制栅极(CG)，该源极区域(S)、该漏极区域(D1，D2)和该衬底区域(SB1，SB2)以及该控制栅极(CG)是单独可极化的。

主权项

一种非易失性存储器设备，其特征在于，所述非易失性存储器设备包括至少一个存储器单元(CEL)，所述至少一个存储器单元包括：选择晶体管(TRS)，所述选择晶体管包括嵌入在半导体衬底区域(SB1，SB2)中的绝缘选择栅极(SG)；半导体源极区域(S)，所述半导体源极区域与所述嵌入式绝缘选择栅极的下部(31)接触；状态晶体管(TR)，所述状态晶体管包括具有嵌入在所述衬底区域中在所述嵌入式绝缘选择栅极的上部(30)上方的至少一个绝缘部分(10)的浮栅(FG)、半导体漏极区域(D1，D2)、以及与所述浮栅绝缘并且部分地位于所述浮栅上方的控制栅极(CG)，所述源极区域(S)、所述漏极区域(D1，D2)和所述衬底区域(SB1，SB2)以及所述控制栅极(CG)是单独可极化的。