[实用新型]一种环腔纳米线电注入单光子源器件有效
| 申请号： | 201720046617.6 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN206541846U | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 陈飞良;李沫;黄锋;张晖;李倩;王旺平;康健彬;李俊泽;张健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/10 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于包括p型电极、pin纳米线、嵌埋于纳米线中的量子点、多层同心环腔、n型电极、n型材料和衬底。这种器件的优点在于在实现电注入工作的同时，利用多层同心圆环构成的圆环形布拉格微腔，在圆心量子点位置产生电磁场局域增强，既能利用珀塞尔效应增强量子点单光子源的辐射效率，又能在垂直于纳米线的两个空间维度限制光子的发散，使单光子只沿纳米线方向出射、极大地提高光收集利用效率。本实用新型的环腔纳米线电注入单光子源器件可广泛应用于量子信息、量子计算、量子认证、量子精密测量相关领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 注入 光子 器件 | ||
【主权项】：
一种环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：包括p型电极（1）、pin纳米线（2）、量子点（3）、多层同心环腔（4）、n型电极（5）、下层n型材料（6）和衬底（7）；所述衬底（7）位于最底层，衬底（7）的上面为下层n型材料（6），下层n型材料（6）的上面为pin纳米线（2）、量子点（3）、多层同心环腔（4）、n型电极（5），p型电极（1）位于pin纳米线（2）的上面；所述多层同心环腔（4）以pin纳米线（2）为圆心位于 pin纳米线（2）的外层；所述n型电极（5）以pin纳米线（2）为圆心呈环形位于多层同心环腔（4）的外层，且靠近下层n型材料（6）的边缘；所述pin纳米线（2）位于下层n型材料（6）的中心上，量子点（3）嵌埋于pin纳米线（2）中间。
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