[实用新型]一种掩膜板及曝光系统有效
申请号: | 201720044297.0 | 申请日: | 2017-01-13 |
公开(公告)号: | CN206421156U | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 王曼;翟玉漫;张晓妹 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F7/20 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 周娟 |
地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种掩膜板及曝光系统,涉及液晶显示技术领域,为解决接近式曝光过程中,掩膜板中心下沉,所导致的曝光位置偏差和曝光距离不均的问题。掩膜板与被曝光基板相对设置,掩膜板包括层叠设置的透光部和遮光部,透光部和遮光部均具有凸起,遮光部的凸起方向和透光部的凸起方向相同;所述遮光部与所述被曝光基板相对设置,所述遮光部的凸起方向朝向所述透光部。本实用新型提供的掩膜板及曝光系统用于接近式曝光模式中。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 曝光 系统 | ||
【主权项】:
一种掩膜板,与被曝光基板相对设置,其特征在于,包括层叠设置的透光部和遮光部,所述透光部和所述遮光部均具有凸起,所述遮光部的凸起方向和所述透光部的凸起方向相同;所述遮光部与所述被曝光基板相对设置,所述遮光部的凸起方向朝向所述透光部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720044297.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备