[发明专利]一种掺钒ZnO厚膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201711494906.3 | 申请日： | 2017-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN108231998A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李俊红;樊青青;李东宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | H01L41/18 | 分类号： | H01L41/18;H01L41/39;H01L41/41 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人： | 陈霁 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺钒ZnO厚膜及其制备方法，包括：S10、制备掺钒ZnO胶体；S20、制备掺钒ZnO纳米粉；S30、将掺钒ZnO胶体和掺钒ZnO纳米粉混合，形成掺钒ZnO混合浆料；S40、将掺钒ZnO混合浆料和掺钒ZnO胶体按预设顺序涂覆在基片上；S50、对涂覆后的基片进行预处理；S60、判断制备的掺钒ZnO厚膜的厚度是否达到所需厚度，若否，则重复步骤S40和S50，直至获得所需厚度的掺钒ZnO厚膜，若是，则执行步骤S70；S70、对掺钒ZnO厚膜进行热处理。本发明提供了一种高性能ZnO厚膜的制备方法，通过掺钒后ZnO厚膜的压电性能得到明显提高；通过纳米粉可有效防止压电薄膜的开裂问题；同时单层成膜厚度大大增加；可实现掺杂元素的均匀、定量掺杂。本发明方法设备简单，成本低，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 厚膜 制备 纳米粉 混合浆料 涂覆 预处理 热处理 掺杂元素 压电薄膜 压电性能 成膜 单层 预设 掺杂 重复 | ||
【主权项】：
1.一种掺钒ZnO厚膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S10、制备掺钒ZnO胶体；S20、制备掺钒ZnO纳米粉；S30、将所述掺钒ZnO胶体和所述掺钒ZnO纳米粉混合，形成掺钒ZnO混合浆料；S40、将所述掺钒ZnO混合浆料和所述掺钒ZnO胶体按预设涂覆顺序涂覆在基片上；S50、对涂覆后的基片进行预处理；S60、判断制备的掺钒ZnO厚膜的厚度是否达到所需厚度，若否，则重复步骤S40和S50，直至获得所需厚度的掺钒ZnO厚膜，若是，则执行步骤S70；S70、对所述掺钒ZnO厚膜进行热处理。
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