[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。氮化镓基发光二极管外延片还包括设置在AlN缓冲层和未掺杂的GaN层之间的插入层，插入层的生长温度为300～600℃；插入层为AlGaN/GaN结构，或者N个周期的AlGaN/GaN超晶格结构，2≤N≤20且N为整数。AlGaN子层的生长温度较低，所形成的晶粒越小且越密集，这些晶粒会拉伸形变使得间隙闭合，降低表面能，产生张应力，促使外延片向变凹的方向发展，从而改善外延片的翘曲。由于低温生长的AlGaN子层晶体质量不佳，故引入GaN子层可以湮灭大量的位错，提高外延片底层的晶体质量。

主权项

1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠设置在所述蓝宝石衬底上的AlN缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层，其特征在于，所述氮化镓基发光二极管外延片还包括设置在所述AlN缓冲层和所述未掺杂的GaN层之间的插入层，所述插入层的生长温度为300～600℃；/n所述插入层包括层叠设置在所述AlN缓冲层上的AlGaN子层和GaN子层，或者，所述插入层包括N个周期的超晶格结构，每个周期的超晶格结构均包括靠近所述AlN缓冲层的AlGaN子层和远离所述AlN缓冲层的GaN子层，2≤N≤20且N为整数；/n所述AlGaN子层的厚度为1～10nm，所述GaN子层的厚度为1～10nm。/n