[发明专利]一种二硼化镁约瑟夫森结及其制备方法在审
| 申请号： | 201711470469.1 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108198935A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 许壮;孔祥东;韩立;高召顺;李艳丽;门勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01L39/22 | 分类号： | H01L39/22;H01L39/24 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种二硼化镁约瑟夫森结及其制备方法，为MgB2/势垒层/MgB2结构，上下两层MgB2超导层之间的势垒层由硼或镁的高硼化物组成。MgB2层为超导层，上下两层MgB2超导层之间的硼层的中央刻蚀有凹槽，凹槽底部为结区势垒层。20K时本发明MgB2约瑟夫森结的最大能隙达到1.17meV，工作频率达到500GHz。本发明采用电子束在真空中快速退火得到二硼化镁约瑟夫森结。通过电子束蒸发法和聚焦离子束刻蚀得到所述的二硼化镁约瑟夫森结前驱膜，在几秒量级的时间内对前驱膜退火，使前驱膜内的镁和硼发生反应即可获得约瑟夫森结。退火后得到的二硼化镁约瑟夫森结可以根据聚焦离子束刻蚀工艺的不同得到不同类型的约瑟夫森结。 | ||
| 搜索关键词： | 约瑟夫森结 二硼化镁 超导层 前驱膜 势垒层 聚焦离子束刻蚀 退火 上下两层 制备 电子束 电子束蒸发法 工作频率 快速退火 高硼 化物 结区 刻蚀 能隙 硼层 | ||
【主权项】：
1.一种二硼化镁约瑟夫森结，其特征在于：所述的二硼化镁约瑟夫森结为MgB2/势垒层/MgB2结构，上下两层MgB2超导层之间的势垒层由硼或镁的高硼化物组成；MgB2层为超导层，上下两层MgB2超导层之间的硼层的中央刻蚀有凹槽，凹槽底部为结区势垒层；20K时所述的MgB2约瑟夫森结的最大能隙达到1.17meV，工作频率达到500GHz。
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