[发明专利]图像传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 201711459021.X | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN107948552B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 龚劲峰;常建光 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/378;H04N5/361 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：位于基底有效像素区上的有效像素阵列，有效像素阵列包括N行×M列的若干有效像素单元，M大于等于2，N大于等于2；位于基底第一辅助像素区上的第一辅助像素阵列，第一辅助像素阵列包括Q行×M列的若干第一辅助像素单元，Q大于等于1；位于基底第二辅助像素区上的第二辅助像素阵列，第二辅助像素阵列包括Q行×W列的若干第二辅助像素单元，W大于等于1；位于基底负载区上的N个负载电容元件，N个负载电容元件分别位于每行有效像素单元的侧部。所述像素传感器的集成度得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，其特征在于，包括：基底，所述基底包括有效像素区、负载区、第一辅助像素区和第二辅助像素区，所述有效像素区具有相邻的第一侧和第三侧，所述第一辅助像素区位于有效像素区的第一侧，所述负载区位于有效像素区的第三侧，所述第二辅助像素区位于由负载区边缘和第一辅助像素区边缘构成的拐角处；位于基底有效像素区上的有效像素阵列，所述有效像素阵列包括N行×M列的若干有效像素单元，M为大于等于2的整数，N为大于等于2的整数；位于基底第一辅助像素区上的第一辅助像素阵列，第一辅助像素阵列包括Q行×M列的若干第一辅助像素单元，Q为大于等于1的整数；位于基底第二辅助像素区上的第二辅助像素阵列，第二辅助像素阵列包括Q行×W列的若干第二辅助像素单元，W为大于等于1的整数；位于基底负载区上的N个负载电容元件，所述N个负载电容元件分别位于每行有效像素单元的侧部，所述负载电容元件包括一个或多个负载电容。
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