[发明专利]图像传感器及其形成方法

说明书

一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：位于基底有效像素区上的有效像素阵列，有效像素阵列包括N行×M列的若干有效像素单元，M大于等于2，N大于等于2；位于基底第一辅助像素区上的第一辅助像素阵列，第一辅助像素阵列包括Q行×M列的若干第一辅助像素单元，Q大于等于1；位于基底第二辅助像素区上的第二辅助像素阵列，第二辅助像素阵列包括Q行×W列的若干第二辅助像素单元，W大于等于1；位于基底负载区上的N个负载电容元件，N个负载电容元件分别位于每行有效像素单元的侧部。所述像素传感器的集成度得到提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法。

背景技术

图像传感器是一种将光信号转化为电信号的半导体器件。

图像传感器分为互补金属氧化物(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器。CMOS图像传感器具有工艺简单、易于其它器件集成、体积小、重量轻、功耗小和成本低等优点。因此，随着图像传感技术的发展，CMOS图像传感器越来越多地取代CCD图像传感器应用于各类电子产品中。目前，CMOS图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、数码摄像机、医疗用摄像装置和车用摄像装置等。

然而，现有的CMOS图像传感器的性能有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种图像传感器及其形成方法，以提高图像传感器的集成度。

为解决上述问题，本发明提供一种图像传感器，包括：基底，所述基底包括有效像素区、负载区、第一辅助像素区和第二辅助像素区，所述有效像素区具有相邻的第一侧和第三侧，所述第一辅助像素区位于有效像素区的第一侧，所述负载区位于有效像素区的第三侧，所述第二辅助像素区位于由负载区边缘和第一辅助像素区边缘构成的拐角处；位于基底有效像素区上的有效像素阵列，所述有效像素阵列包括N行×M列的若干有效像素单元，M为大于等于2的整数，N为大于等于2的整数；位于基底第一辅助像素区上的第一辅助像素阵列，第一辅助像素阵列包括Q行×M列的若干第一辅助像素单元，Q为大于等于1的整数；位于基底第二辅助像素区上的第二辅助像素阵列，第二辅助像素阵列包括Q行×W列的若干第二辅助像素单元，W为大于等于1的整数；位于基底负载区上的N个负载电容元件，所述N个负载电容元件分别位于每行有效像素单元的侧部，所述负载电容元件包括一个或多个负载电容。

可选的，所述有效像素单元包括有效光电二极管和与有效光电二级管电学连接的有效晶体管组，有效晶体管组包括有效传输晶体管，所述有效传输晶体管与有效光电二极管连接。

可选的，还包括：第一行控制线至第Q+N行控制线；在第一行控制线至第Q行控制线中，第k₁行控制线分别与第k₁行的各第一辅助像素单元以及第k₁行的第二辅助像素单元电学连接，第k₁行控制线用于给第k₁行的各第一辅助像素单元以及第k₁行的第二辅助像素单元提供控制信号，k₁为大于等于1且小于等于Q的整数；在第Q+1行控制线至第Q+N行控制线中，第Q+k₂行控制线分别与第k₂行的各有效像素单元以及第k₂行的负载电容元件电学连接，第Q+k₂行控制线用于给第k₂行的各有效像素单元以及第k₂行的负载电容元件提供控制信号，k₂为大于等于1且小于等于N的整数。