[发明专利]用于晶硅异质结太阳电池的复合导电减反膜及其制备方法

摘要

一种用于晶硅异质结太阳电池的复合导电减反膜，由一层折射率为1.8～2.1的常规氢铪共掺氧化铟薄膜及一层折射率为1.4～1.6的纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜组成。常规氢铪共掺氧化铟薄膜沉积在太阳电池迎光面的掺杂层上，纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜沉积在常规氢铪共掺氧化铟薄膜上。采用的速率射频磁控溅射沉积常规氢铪共掺氧化铟薄膜，基片与溅射靶材表面平行，薄膜厚度70～90nm。采用的速率射频磁控溅射沉积纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜，基片与溅射靶材表面成一定角度，薄膜厚度10～30nm。典型的未经热处理的复合导电减反膜电阻率4.3×10^‑4Ωcm，载流子浓度3.9×10²⁰cm^‑3，迁移率56.5cm²V^‑1s^‑1，在500‑1100nm波长范围内的加权平均反射率3.53％。本发明制备的复合薄膜起到电池导电电极及减少光反射的作用。

主权项

1.一种用于晶硅异质结太阳电池的复合导电减反膜的制备方法，其特征在于：所述的制备方法步骤如下：步骤1、在晶硅异质结太阳电池a1迎光面的掺杂层上利用射频磁控溅射法制备一层常规氢铪共掺氧化铟薄膜a2，所述的常规氢铪共掺氧化铟薄膜a2的折射率为1.8~2.1；制备常规氢铪共掺氧化铟薄膜时，基片b2紧贴在基片支架b1上，基片支架b1与溅射靶材表面平行；通入氢气实现氢掺杂，氢气分压为2×10^‑2～8×10^‑2Pa；常规氢铪共掺氧化铟薄膜a2采用2~3Å/s高速率沉积；步骤2、在常规氢铪共掺氧化铟薄膜a2上采用射频磁控溅射法制备一层纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜a3，所述纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜的折射率为1.4~1.6；制备纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜时，基片支架b1与靶材表面始终平行，基片b2与基片支架b1成α角度，α不小于22度不大于90度；此角度大小通过在基片b2与基片支架b1之间插入的铝箔或单晶硅片来改变；基片b2背面采用铝箔或单晶硅片进行掩膜，此掩膜单晶硅片通过高温胶带与基片b2紧密固定贴合；基片宽度B不大于常规单晶硅电池片尺寸156mm；基片宽度B与α角正旋的乘积Bsinα不大于6。