[发明专利]光阻层剥离方法有效
| 申请号： | 201711453565.5 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108198751B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 尹易彪 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/84 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光阻层剥离方法，包括以下的步骤：在基板上依次层叠设置保护层、金属层及光阻层；图案化所述光阻层；蚀刻所述金属层和所述保护层，以形成过孔，所述过孔贯穿所述光阻层、所述金属层及所述保护层；通过所述过孔蚀刻所述金属层，使所述金属层的边缘相对所述光阻层的边缘和所述保护层的边缘内缩，以在所述过孔的内壁上形成凹槽；沉积功能膜层，所述功能膜层包括多个功能膜层块及连接所述多个功能膜层块之间的间隙，所述间隙连通所述过孔；喷洒溶解试剂，所述溶解试剂通过所述间隙填充所述凹槽，以去除所述光阻层。本发明能够提高光阻层的剥离效率。 | ||
| 搜索关键词： | 光阻层 剥离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光阻层剥离方法，其特征在于，包括以下的步骤：在基板上依次层叠设置保护层、金属层及光阻层；图案化所述光阻层；蚀刻所述金属层和所述保护层，以形成过孔，所述过孔贯穿所述光阻层、所述金属层及所述保护层；通过所述过孔蚀刻所述金属层，使所述金属层的边缘相对所述光阻层的边缘和所述保护层的边缘内缩，以在所述过孔的内壁上形成凹槽；沉积功能膜层，所述功能膜层包括多个功能膜层块及连接所述多个功能膜层块之间的间隙，所述间隙连通所述凹槽；喷洒溶解试剂，所述溶解试剂通过所述间隙填充所述凹槽，以溶解所述光阻层或所述金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
