[发明专利]一种气体喷淋头及防止聚合物积聚的方法有效
| 申请号： | 201711407606.7 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN109961999B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 贺小明;张俊毅;杨金全;徐朝阳 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 潘朱慧 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种气体喷淋头及防止聚合物积聚的方法，包含：气体喷淋头位于等离子体处理装置的反应腔内的顶部；气体喷淋头包括：气体喷淋头主体，气体容纳腔和顶部盖板；该气体容纳腔设置在气体喷淋头主体与顶部盖板之间；反应气体经气体喷淋头的多个第一气体喷射孔引入到反应腔内；气体喷淋头主体包括：平坦区域表面，分布有各个第一气体喷射孔的出气口；平坦区域外圆周设置有倾斜表面；气体喷淋头与放置晶圆的底部基座相对，气体喷淋头的平坦区域表面的直径大于晶圆的直径，使倾斜表面对应于晶圆的范围之外。本发明具有防止晶圆污染，提高气体喷淋头的使用寿命的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气体 喷淋 防止 聚合物 积聚 方法 | ||
【主权项】：
1.一种气体喷淋头，包含：所述气体喷淋头位于等离子体处理装置的反应腔内的顶部；所述气体喷淋头包括：气体喷淋头主体，气体容纳腔和顶部盖板；该气体容纳腔设置在气体喷淋头主体与顶部盖板之间；反应气体经所述气体喷淋头的多个第一气体喷射孔引入到所述反应腔内；所述气体喷淋头主体包括：平坦区域表面，分布有各个第一气体喷射孔的出气口；所述平坦区域外圆周设置有倾斜表面；所述气体喷淋头与放置晶圆的底部基座相对，其特征在于，所述气体喷淋头主体还设有多个第二气体喷射孔，分布在所述平坦区域表面边缘处， 每个所述第二气体喷射孔的出气口对准所述倾斜表面，反应气体经所述第二气体喷射孔引入到所述反应腔内。
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