[发明专利]基于磁畴壁可逆性运动的磁场测量方法及磁性传感器

摘要

本发明涉及利用磁畴壁测量磁场领域，尤其是是一种基于磁畴壁可逆性运动的磁场测量方法及磁性传感器。磁场测量方法包括以下步骤：(1)在传感器器件内形成磁畴壁；(2)磁畴壁弯曲扩张；(3)测量磁场；(4)磁畴壁自发恢复。其集成度高，能够准确表征磁场大小或者待测磁性物体的磁性。

主权项

1.一种基于磁畴壁可逆性运动的磁场测量方法，其特征在于包括以下步骤：(1)在传感器器件内形成磁畴壁：所述传感器包括钉扎层、间隔层和自由层，间隔层位于钉扎层和自由层之间，所述钉扎层采用矫顽场比自由层的矫顽场大的磁性材料或者磁性结构，所述间隔层为绝缘体或金属导体，自由层采用磁性随外加磁场或电流方向改变的磁性材料或磁性结构，在自由层内形成磁畴壁；(2)磁畴壁弯曲扩张：将形成磁畴壁的传感器器件置于磁场中或待测磁性物体处，磁畴壁在磁场的作用下移动，磁畴壁的两端停止继续前进后，磁畴壁的中间段在磁场作用下继续扩张，使磁畴壁出现弯曲，由于磁畴壁表面张力的作用，磁畴壁弯曲扩张的深度受到表面张力的限制，直至磁畴壁在表面张力与磁场力的作用下达到平衡状态；(3)测量磁场：磁畴壁的中间段扩张过程中，传感器器件的磁化状态发生变化，从而使传感器器件的电阻值发生改变，测量传感器器件的电阻值，来表征磁场的大小或待测磁性物体的磁性；(4)磁畴壁自发恢复：由于磁畴壁的表面张力造成的弹性，当磁场减小或撤去时，磁畴壁的位置自发恢复。