[发明专利]LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201711385756.2 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109950378A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 刘珊珊;廖汉忠;陈顺利;丁逸圣 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 司佩杰;李双皓 |
| 地址： | 116051 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LED芯片及其制备方法。包括如下步骤：提供LED芯片主体；采用物理气相沉积方式在芯片主体表面形成金属层；对沉积金属层后的芯片主体进行退火处理，得到结晶态金属氧化物薄膜。所制备得到的LED芯片包括芯片主体以及形成在芯片主体表面上的结晶态金属氧化物薄膜保护层。结晶态金属氧化物薄膜保护层能够为LED芯片提供更好的隔绝水汽的能力。而且，在退火过程中，金属原子会部分的扩散至氧化铟锡层中，增加氧化铟锡层的自由电子数目，从而可以提高电流扩展层的电流扩展能力，降低LED芯片的工作电压，提高LED芯片的光电转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片主体 金属氧化物薄膜 结晶态 制备 氧化铟锡层 保护层 表面形成金属 电流扩展能力 光电转化效率 物理气相沉积 沉积金属层 电流扩展层 工作电压 金属原子 退火处理 退火过程 自由电子 水汽 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供LED芯片主体；采用物理气相沉积方式在所述芯片主体表面形成金属层；对沉积所述金属层后的所述芯片主体进行退火处理，得到结晶态金属氧化物薄膜。
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