[发明专利]辐照底层器件获取电子系统单粒子效应敏感性的评价方法

摘要

本发明提供了一种辐照底层器件获取电子系统单粒子效应敏感性的评价方法，充分考虑到电子系统与底层器件失效判据不同的实际状况，通过逐一辐照电子系统中底层器件并进行概率合成以评价整个电子系统单粒子效应敏感性，解决了现有系统级单粒子效应敏感性评价方法未考虑底层器件与电子系统明显失效判据不同以及单粒子防护措施多样性的技术问题。

主权项

1.辐照底层器件获取电子系统单粒子效应敏感性的评价方法，其特征在于，包括如下步骤：1)确定分析对象所述分析对象为包含所有底层器件且能够执行正常功能的电子系统，所包含的底层器件均已接入电子系统；2)确定电子系统的工作状态电子系统处于加电模式，所有需要的激励信号均需接入，保证电子系统执行正常功能；3)辐照评价3.1)设定电子系统的工作模式，所述工作模式包括加固模式和非加固模式；3.2)在重离子环境中逐一辐照电子系统中的底层器件，按照系统失效判据统计电子系统的失效次数，根据失效次数计算出单粒子出错截面，每只器件均需获取至少五组表示该器件对系统单粒子出错截面贡献与重离子线性能量转移值具有对应关系的数据点；3.3)在质子环境中逐一辐照电子系统中的底层器件，按照系统失效判据统计电子系统的失效次数，根据失效次数计算出单粒子出错截面，每只器件均获取至少五组表示该器件对系统单粒子出错截面贡献与质子能量值具有对应关系的数据点；3.4)分别对每只器件的重离子辐照数据点和质子辐照数据点逐一进行Weibull曲线拟合，拟合曲线方程如式(1)和式(2)所示：其中，σion,i(LET)为重离子辐照第i只底层器件时电子系统发生单粒子出错的截面，σsat,ion,i、L0,ion,i、Wion,i和Sion,i依次分别为重离子辐照第i只底层器件时电子系统单粒子出错截面的Weibull拟合曲线所对应饱和截面、LET阈值、尺度参数和形状参数；其中，σproton,i(E)为质子辐照第i只底层器件时电子系统发生单粒子出错的截面，σsat,proton,i、E0,proton,i、Wproton,i和Sproton,i依次分别为质子辐照第i只底层器件时电子系统单粒子出错截面的Weibull拟合曲线所对应饱和截面、能量阈值、尺度参数和形状参数；3.5)根据选定的航天器轨道参数、太阳活动状况、屏蔽参数确定重离子LET谱和质子能谱；将Weibull曲线的拟合参数σsat,ion,i、L0,ion,i、Wion,i、Sion,i、σsat,proton,i、E0,proton,i、Wproton,i和Sproton,i作为表征每只底层器件对系统单粒子敏感性贡献的输入参数；根据重离子LET谱、质子能谱及Weibull曲线的拟合参数，计算每只底层器件对应的在轨系统失效率；3.6)电子系统在特定空间辐射环境中发生单粒子出错的失效率λTotal＝∑iλi，其中λi代表第i只底层器件所对应的在轨系统失效率。