[发明专利]一种微纳弯曲结构的制备方法在审
| 申请号： | 201711368285.4 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108217578A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;潘如豪;顾长志;刘哲;金爱子;田士兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 薛峰;康正德 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种微纳弯曲结构的制备方法，属于纳米技术领域，其步骤包括：在基底上制备悬空材料；在所述悬空材料上旋涂光刻胶，并通过曝光所述光刻胶以制备预定图形；通过刻蚀将所述预定图形转移至所述悬空材料上；去胶处理，并在所述悬空材料上进行材料沉积，以获得所述悬空材料和沉积材料的双层悬空膜结构；将所述双层悬空膜结构进行离子束辐照变形，得到微纳弯曲结构。本发明提供的一种微纳弯曲结构的制备方法，可以突破折叠加工等三维加工方法在大面积与百纳米结构尺度的加工以及其结构空间灵活性上的限制，以获得灵活的、可控性强的三维加工手段。 | ||
| 搜索关键词： | 悬空 制备 弯曲结构 三维加工 预定图形 光刻胶 膜结构 纳米技术领域 离子束辐照 材料沉积 沉积材料 结构空间 纳米结构 可控性 灵活的 折叠 基底 刻蚀 去胶 上旋 加工 变形 尺度 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种微纳弯曲结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、在基底上制备悬空材料；s2、在所述悬空材料上旋涂光刻胶，并通过曝光所述光刻胶以制备预定图形；s3、通过刻蚀将所述预定图形转移至所述悬空材料上；s4、去胶处理，并在所述悬空材料上进行材料沉积，以获得所述悬空材料和沉积材料的双层悬空膜结构；s5、将所述双层悬空膜结构进行离子束诱导变形，得到微纳弯曲结构。
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