[发明专利]背侧金属栅格及金属垫简化在审
申请号: | 201711343632.8 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN108257989A | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 王沁;陈刚;毛杜立 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请案涉及一种背侧金属栅格及金属垫简化。图像传感器包含半导体材料,所述半导体材料包含安置在所述半导体材料中的多个光电二极管。所述图像传感器还包含:第一绝缘材料,其安置成靠近所述半导体材料的前侧;以及互连件,其安置在靠近所述半导体材料的所述前侧的所述第一绝缘材料中。金属垫从所述半导体材料的背侧延伸穿过所述第一绝缘材料并接触所述互连件。金属栅格安置成靠近所述半导体材料的所述背侧,且所述半导体材料安置在所述金属栅格与靠近所述前侧安置的所述第一绝缘材料之间。 | ||
搜索关键词: | 半导体材料 金属栅格 绝缘材料 安置 金属垫 图像传感器 互连件 光电二极管 延伸穿过 申请案 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,其包括:半导体材料,其包含安置在所述半导体材料中的多个光电二极管;第一绝缘材料,其安置成靠近所述半导体材料的前侧;互连件,其安置在靠近所述半导体材料的所述前侧的所述第一绝缘材料中;金属垫,其从所述半导体材料的背侧延伸穿过所述第一绝缘材料并接触所述互连件,其中所述背侧与所述前侧相对;及金属栅格,其安置成靠近所述半导体材料的所述背侧,其中所述半导体材料安置在所述金属栅格与靠近所述前侧安置的所述第一绝缘材料之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的