[发明专利]磁性传感器电路和系统及用于形成磁性传感器电路的方法有效
| 申请号： | 201711321229.5 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108226822B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | W·拉伯格 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01D5/14;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张昊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及磁性传感器电路和系统及用于形成磁性传感器电路的方法。例如，一种传感器电路包括第一磁阻器。第一磁阻器具有第一电阻传递函数。此外，传感器电路包括第二磁阻器。第二磁阻器具有第二电阻传递函数。第二电阻传递函数不同于第一电阻传递函数。第一磁阻器和第二磁阻器串联在传感器电路的第一电源端子和传感器电路的第二电源端子之间。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 传感器 电路 系统 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种传感器电路(300)，包括：第一磁阻器(331)，具有第一电阻传递函数；第二磁阻器(332)，具有不同的第二电阻传递函数，其中所述第一磁阻器和所述第二磁阻器(331、332)串联连接在所述传感器电路(300)的第一电源端子和第二电源端子(301‑1、301‑2)之间，其中所述第一磁阻器和所述第二磁阻器(331，332)均包括：相应的磁性自由层(116)，被配置为在所述磁性自由层(116)中自发地生成涡流磁化图案；以及相应的磁性参考层(114)，具有直接参考磁化图案，其中用于去除所述第一磁阻器(331)的磁性自由层(116)中的涡流磁化图案的湮没场强度不同于用于去除所述第二磁阻器(332)的磁性自由层(116)中的涡流磁化图案的湮没场强度。
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