[发明专利]RF-LDMOS短栅低方阻值栅硅化物的形成方法

摘要

本发明公开了一种RF‑LDMOS短栅低方阻值栅硅化物的形成方法，使用硅化物低阻栅、增加隔离等工艺技术以及优化单元器件结构及多子管并联方式，最终设计成低寄生效应的大栅宽LDMOS高功率密度版图。在0.25微米栅长的栅条上，经过金属和硅的物理‑化学反应形成的化合态，使其导电特性介于金属和硅之间，从而大大减少多晶栅的连接电阻。其工艺制作概括为：主要措施是利用Spacer技术，使得在多晶硅栅上打开硅化物形成窗口成为可能，然后是利用二步快速热退火法，形成栅硅化物，将栅方块电阻降低到设计值每方块0.5欧姆左右，对于提高器件的特征频率有积极的意义。

主权项

1.一种RF-LDMOS短栅低方阻值栅硅化物的形成方法，其特征在于：所述方法使用硅化物低阻栅、增加隔离工艺技术以及优化单元器件结构及多子管并联方式，最终设计成低寄生效应的大栅宽LDMOS高功率密度版图；所述方法包括如下步骤：（1）采用原位掺杂多晶硅的方式进行多晶硅栅的淀积；（2）进行多晶硅的光刻与刻蚀；（3）利用Spacer技术，在多晶硅栅上打开硅化物形成窗口，制作侧墙spacer；（4）在多晶硅上淀积一定厚度的的金属钴；（5）进行第一次快速退火，使得金属钴与硅进行反应，形成硅化钴CoSi；（6）湿法刻蚀使用混合液清除氧化层上不需要的钴淀积层；（7）采用原位掺杂多晶硅的方式进行多晶硅栅的淀积200-250纳米；（8）进行第二次快速退火，使得硅化钴CoSi与硅进一步进行反应，形成二硅化钴CoSi2。