[发明专利]一种电场或磁场诱导下测量半导体光电材料瞬态光电压的方法在审
申请号: | 201711296968.3 | 申请日: | 2017-12-08 |
公开(公告)号: | CN108051630A | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 谢腾峰;孟德栋;步琦璟;毕玲玲;张凯 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;G01R31/26 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯;王恩远 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 一种电场或磁场诱导下测量半导体光电材料瞬态光电压的方法,属于半导体光电材料光生电荷测量技术领域。其是基于瞬态光电压测量系统完成的,该测试系统由数字示波器、Nd:YAG激光器、前置放大器和样品池构成,各组成单元间通过BNC数据线连接;样品池自上至下,由上电极、云母片、光电材料层和下电极组成,下电极接地。由锁相放大器为样品池提供电压(电场),由两片不同极性的钕铁硼强磁铁为样品池提供磁场。电压施加在上、下电极上,上、下电极间形成电场,光电材料样品处在电场中,通过施加不同强度的电压,测量不同电场下的瞬态光电压。两片磁铁N、S极相对放置在样品池左右两侧,磁场方向平行于电极平面,通过施加不同强度的磁场,实现磁场诱导的瞬态光电压测量。 | ||
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【主权项】:
1.一种电场或磁场诱导下测量半导体光电材料瞬态光电压的方法,其特征在于:该方法是基于瞬态光电压测量系统完成的,测试系统由数字示波器、Nd:YAG激光器、前置放大器和样品池构成,各组成单元间通过BNC数据线连接;样品池自上至下,由上电极、云母片、光电材料层和下电极组成,下电极接地,激光入射方向垂直于样品池的上电极表面;Nd:YAG激光器输出的参比信号将数字示波器触发,Nd:YAG激光器输出的激光照射在光电材料上,激发光电材料产生光生电荷;前置放大器采集光电材料光生电荷的瞬态光电压信号,将信号放大后输入到数字示波器;数字示波器记录来自前置放大器的瞬态光电压信号;从而完成电场或磁场诱导下光电材料的瞬态光电压的测量;电场由锁相放大器为样品池提供,锁相放大器输出的电压施加在样品池上、下电极上,上、下电极间形成电场;磁场由两片不同极性的钕铁硼强磁铁为样品池提供,两片磁铁N、S极相对放置在样品池上、下电极围成区域的左右两侧,磁场方向平行于上、下电极的平面,即垂直于激光入射方向。
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