[发明专利]光刻板及掩模修正方法有效
| 申请号： | 201711292209.X | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN109901357B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 张健澄;吴苇;张晨波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘剑波 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光刻板及掩模修正方法，涉及半导体技术领域。其中在掩模修正方法中，在基底上形成图案化的掩模，根据掩模确定在基底上嵌入散射条的位置，在确定的位置上设置开口，以便将散射条嵌入到开口中。通过将散射条嵌入光刻板的基底中，从而可有效避免散射条对掩模图案的影响，降低沉积损失，提高修正效果，并缩短修正时间。 | ||
| 搜索关键词： | 刻板 修正 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩模修正方法，其特征在于，包括以下步骤：在基底上形成图案化的掩模；根据所述掩模确定在基底上嵌入散射条的位置；在所述位置设置开口；将所述散射条嵌入到所述开口中。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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