[发明专利]基于微结构介电层的薄膜晶体管压力传感器及制备方法在审
| 申请号： | 201711290439.2 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108204869A | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 林慧;孔骁;陶斯禄 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01L9/12;H01L41/113;H01L41/22;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 基于微结构介电层的薄膜晶体管压力传感器及制备方法，属于压力传感器领域。本发明的压力传感器包括顺次设置的衬底玻璃、有源层、PDMS薄膜层、PDMS微结构层、ITO层和PET层，衬底玻璃上设置有与有源层接触的金属电极，所述的PDMS薄膜层在有源层之上，所述PDMS微结构层包括至少9个PDMS材质的锥形体，所述锥形体的底面与ITO层接触，锥形体的顶端与PDMS薄膜层接触，所述锥形体为自顶端向底面横截面逐渐增大的几何体。本发明提高了受压力时PDMS的形变，极大的提升了器件的压力灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 锥形体 源层 薄膜晶体管 衬底玻璃 微结构层 介电层 微结构 底面 制备 压力灵敏度 金属电极 逐渐增大 几何体 形变 | ||
【主权项】：
1.基于微结构介电层的薄膜晶体管压力传感器，其特征在于，包括顺次设置的的衬底玻璃、有源层、PDMS薄膜层、PDMS微结构层、ITO层和PET层，衬底玻璃上设置有与有源层接触的金属电极，所述的PDMS薄膜层在有源层之上，所述PDMS微结构层包括至少9个PDMS材质的锥形体，所述锥形体的底面与ITO层接触，锥形体的顶端与PDMS薄膜层接触，所述锥形体为自顶端向底面横截面逐渐增大的几何体。
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