[发明专利]集成电路和形成集成电路的方法在审
| 申请号： | 201711277154.5 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109390465A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 陈侠威;朱文定;廖钰文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请的各个实施例涉及一种包括在同质底电极通孔(BEVA)顶面上的存储单元的集成电路。在一些实施例中，集成电路包括导线、通孔介电层、通孔和存储单元。通孔介电层覆盖在导线上。通孔延伸穿过通孔介电层至导线，并具有第一侧壁、第二侧壁和顶面。通孔的第一侧壁和第二侧壁分别在通孔的相对侧上且直接接触通孔介电层的侧壁。通孔的顶面是同质的并且基本上是平坦的。此外，通孔的顶面从通孔的第一侧壁横向延伸到通孔的第二侧壁。存储单元直接位于通孔的顶面上。本发明实施例还涉及形成集成电路的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔 通孔介电层 集成电路 存储单元 第二侧壁 第一侧壁 顶面 同质 横向延伸 延伸穿过 底电极 侧壁 平坦 覆盖 申请 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：导线；覆盖所述导线的通孔介电层；通孔，所述通孔穿过所述通孔介电层延伸到所述导线，其中，所述通孔具有第一侧壁、第二侧壁和顶面，其中，所述通孔的所述第一侧壁和所述第二侧壁分别位于所述通孔的相对侧上，其中，所述通孔的所述第一侧壁和所述第二侧壁直接接触所述通孔介电层的侧壁，其中，所述通孔的顶面是同质的，并且其中，所述通孔的所述顶面从所述通孔的所述第一侧壁横向延伸到所述通孔的所述第二侧壁；以及直接地位于所述通孔的所述顶面上的存储单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711277154.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
