[发明专利]包括阻变材料的存储设备及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201711272709.7 申请日: 2017-12-05
公开(公告)号: CN108305655B 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 朴贤国;吴荣训;尹治元;李墉焌;林菜昱 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李敬文
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种电阻型存储设备及其操作方法。电阻型存储元件或设备包括:第一主存储单元区域,包括多个第一电阻型存储单元;以及第二缓冲存储单元区域,包括多个第二电阻型存储单元。主存储单元区域的第一电阻型存储单元被配置为在其中存储数据,并且缓冲存储单元区域的第二电阻型存储单元被配置为在主存储单元区域中的数据的部分趋于稳定时,将数据的所述部分暂时存储长达至少稳定时间段。
搜索关键词: 包括 材料 存储 设备 及其 驱动 方法
【主权项】:
1.一种操作电阻型存储设备的方法,包括:将电阻型存储设备的第二存储单元区域的多个第二电阻型存储单元全部编程为复位状态;接收要存储在所述电阻型存储设备的第一存储单元区域的第一电阻型存储单元中的数据;将所述数据写入所述电阻型存储设备的第一存储单元区域的第一电阻型存储单元之中寻址的电阻型存储单元中,包括:当要存储在所述寻址的电阻型存储单元的第一部分中的数据具有与置位状态相对应的第一值时,置位所述寻址的电阻型存储单元的第一部分;以及当要存储在所述寻址的电阻型存储单元的第二部分中的数据具有与复位状态相对应的第二值时,复位所述寻址的电阻型存储单元的第二部分;以及在将所述数据写入所述电阻型存储设备的第一存储单元区域的寻址的电阻型存储单元中时,将所述数据存储到所述电阻型存储设备的第二存储单元区域的第二电阻型存储单元之中选择的电阻型存储单元中,包括:当要存储在所述选择的电阻型存储单元的第一部分中的数据具有所述第一值时,置位所述选择的电阻型存储单元的第一部分;以及当要存储在所述选择的电阻型存储单元的第二部分中的数据具有所述第二值时,使所述选择的电阻型存储单元的第二部分不变。
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