[发明专利]含有机无机杂化钙钛矿单晶发光层的钙钛矿LED及制备方法在审

专利信息
申请号: 201711266108.5 申请日: 2017-12-04
公开(公告)号: CN108091768A 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: 袁国栋;刘文强;王琦;王军喜;李晋闽 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 曹玲柱
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供了一种含有机无机杂化钙钛矿单晶发光层的钙钛矿LED及制备方法,该钙钛矿LED包含:CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层,其中X=Cl、Br或I;p型空穴传输层,沿第一方向形成于CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层上;透明导电阳极,形成于p型空穴传输层上;n型电子传输层,沿与第一方向相反的第二方向形成于CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层上;电子注入层,形成于n型电子传输层上;以及电极,形成于电子注入层上。进一步提供了该钙钛矿LED的制备方法。本公开有效降低了发光层表面的缺陷态密度,提升钙钛矿CH3NH3PbX3的光电性质和稳定性,实现电注入下载流子的高效率辐射复合。
搜索关键词: 钙钛矿 发光层 单晶 制备 电子注入层 空穴传输层 无机杂化 载流子 透明导电阳极 发光层表面 缺陷态密度 方向相反 光电性质 电注入 高效率 电极 复合 辐射
【主权项】:
1.一种含有机无机杂化钙钛矿单晶发光层的钙钛矿LED,包含:CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层,其中X=Cl、Br或I;p型空穴传输层,沿第一方向形成于所述CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层上;透明导电阳极,形成于所述p型空穴传输层上;n型电子传输层,沿与第一方向相反的第二方向形成于所述CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层上;电子注入层,形成于所述n型电子传输层上;以及电极,形成于所述电子注入层上。
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