[发明专利]基片表面处理工艺方法及芯片电容、薄膜电阻制作工艺方法在审
| 申请号： | 201711262861.7 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN107833723A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 何创创;韩玉成;郭海明;应建;居奎;班秀峰 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团云科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C17/075 | 分类号： | H01C17/075;H01G13/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 史明罡 |
| 地址： | 550000 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基片表面处理工艺方法及芯片电容、薄膜电阻制作工艺方法，涉及电子元件制造领域。该基片表面处理工艺方法通过在预设定第一温度下，采用单片烧结的方式对陶瓷生胚进行烧结形成陶瓷基片；对烧结后的陶瓷基片进行喷砂处理，采用单片烧结的方式，在烧结的过程中，无需加入隔粘粉，从而减少了陶瓷基片的表面粗糙度、以及提升了陶瓷基片的表面平整度，有效地去除了陶瓷基片表面的凸脊、瓷疱、毛刺、针孔以及斑点，并且通过对烧结后的陶瓷基片进行喷砂处理，更进一步地去除了陶瓷基片表面的凸脊、瓷疱、毛刺、针孔、斑点和划痕，由于外观质量合格率的提升，在生产大量的陶瓷基片时，大大减少了陶瓷基片、芯片电容以及薄膜电阻的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 工艺 方法 芯片 电容 薄膜 电阻 制作 | ||
【主权项】：
一种基片表面处理工艺方法，其特征在于，所述基片表面处理工艺方法包括：在预设定第一温度下，采用单片烧结的方式对陶瓷生胚进行烧结形成陶瓷基片；对烧结后的陶瓷基片进行喷砂处理。
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