[发明专利]微机电系统封装体及抗静摩擦装置的制造方法有效
| 申请号： | 201711259218.9 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109422235B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 曾李全;吴常明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例系关于微机电系统封装体及其形成方法，其特征在于具有凸起边缘的平板围绕平板的外围以作为抗静摩擦装置。提供互补式金属氧化物半导体集成电路，其具有介电结构围绕多个导电内连线层，这些导电内连线层设置于互补式金属氧化物半导体基底上。将微机电系统集成电路接合至介电结构，使得微机电系统集成电路与介电结构的降低中央部形成空腔，并且微机电系统集成电路包含可移动块状物安排于空腔内。互补式金属氧化物半导体集成电路包含抗静摩擦板设置于可移动块状物下方。此抗静摩擦板由导电材料制成，并且具有凸起边缘围绕大致上平坦上表面的外围的至少一部份。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 封装 静摩擦 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微机电系统封装体，包括：一互补式金属氧化物半导体集成芯片，包括一互补式金属氧化物半导体基底和一介电结构设置于所述互补式金属氧化物半导体基底上方，其中所述介电结构围绕多个导电内连线层；一微机电系统集成芯片，设置于所述介电结构上方且接合至所述介电结构，其中所述微机电系统集成芯片与所述介电结构的一降低中央部共同界定出一空腔，且其中所述微机电系统集成芯片包括一可移动块状物安排于所述空腔内；以及一抗静摩擦板，设置于所述可移动块状物与所述介电结构的所述降低中央部之间，其中所述抗静摩擦板由一导电材料制成，且所述抗静摩擦板包括一凸起边缘围绕一平坦上表面的外围的至少一部份。
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