[发明专利]用于二极管清洗的混合酸、生产方法、二极管清洗方法有效
| 申请号： | 201711248404.2 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108010833B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 刘云燕;李昊阳;袁文峰;李钊;付圣贵;袁欣;孙艳 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人： | 王新爱 |
| 地址： | 255000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于二极管清洗的混合酸、生产方法、二极管清洗方法。用于二极管清洗的混合酸由氢氟酸、醋酸、硫酸和硝酸组成，所述氢氟酸：醋酸：硫酸：硝酸的体积比为＝8.8:13:5.6:9.2。混合酸的生产方法是在温度25±5℃时，在容器中加入浓度为99.6～99.9％的醋酸，然后加入浓度为49±0.05％的氢氟酸，搅拌10～15分钟，再加入浓度为68±0.5％的硝酸，搅拌15分钟，最后加入浓度为98.1±0.5％的硫酸，混合后搅拌2～3小时。酸洗最后的冲洗工艺引入氨水配方，解决了铜、铅等物质不易冲洗的问题。本发明可以实现高性能酸洗，通过提高pn结的酸洗良率，进而提高电性良率和产品质量，有效改善二极管高温反偏和高温存储两个可靠性指标，产品更加有竞争优势。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 二极管 清洗 混合 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.用于二极管清洗的混合酸，其特征在于：混合酸由氢氟酸、醋酸、硫酸和硝酸组成，所述氢氟酸：醋酸：硫酸：硝酸的体积比为＝8.8:13:5.6:9.2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
