[发明专利]用于二极管清洗的混合酸、生产方法、二极管清洗方法有效

专利信息
申请号: 201711248404.2 申请日: 2017-12-01
公开(公告)号: CN108010833B 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 刘云燕;李昊阳;袁文峰;李钊;付圣贵;袁欣;孙艳 申请(专利权)人: 山东理工大学
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L29/861
代理公司: 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 代理人: 王新爱
地址: 255000 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 用于 二极管 清洗 混合 生产 方法
【说明书】:

本发明公开了一种用于二极管清洗的混合酸、生产方法、二极管清洗方法。用于二极管清洗的混合酸由氢氟酸、醋酸、硫酸和硝酸组成,所述氢氟酸:醋酸:硫酸:硝酸的体积比为=8.8:13:5.6:9.2。混合酸的生产方法是在温度25±5℃时,在容器中加入浓度为99.6~99.9%的醋酸,然后加入浓度为49±0.05%的氢氟酸,搅拌10~15分钟,再加入浓度为68±0.5%的硝酸,搅拌15分钟,最后加入浓度为98.1±0.5%的硫酸,混合后搅拌2~3小时。酸洗最后的冲洗工艺引入氨水配方,解决了铜、铅等物质不易冲洗的问题。本发明可以实现高性能酸洗,通过提高pn结的酸洗良率,进而提高电性良率和产品质量,有效改善二极管高温反偏和高温存储两个可靠性指标,产品更加有竞争优势。

技术领域

本发明属于二极管领域,具体涉及一种用于二极管清洗的混合酸及其生产方法,以及使用此混合酸清洗二极管的方法。

背景技术

酸洗是对焊接后的二极管,在上白胶之前进行的一个关键步骤和工艺,用酸洗掉晶粒切割时造成的pn结切割面毛糙,避免酸洗可能导致的表面腐蚀坑,简单有效去除铜、铅等不易冲洗物质,可以提高电性良率,提升酸洗工艺品质。

许多的二极管经常在60℃以上的环境中工作,芯片的结温常常会达到125℃以上,因此,提高产品的高温反偏能力是非常有意义的。用传统工艺生产,它们的高温反偏合格率只能达到60%左右,为使产品更加有竞争优势,产品的质量和高温环境下的可靠性得以提高,提高产品的高温反偏筛选合格率的工艺技术一直没有突破。

同样,二极管经常在高温环境下的存储也会带来失效率增加的问题。

当前混酸的常规配方,出现部分产品酸洗后表面毛糙,而且会造成相当比例的表面腐蚀坑。

对比文件CN 104399702 B,公开了一种二极管芯片酸洗工艺,所述工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、氨水与双氧水清洗及水超声清洗,其中一次酸洗清洗时间110-125s,二次酸洗清洗时间70-78s;所述一次酸洗的清洗液为HNO3、HF、CH3COOH和H2SO4的混合液,所述二次酸洗的清洗液为H3PO4、H2O2、H2O和CH3COOH的混合液;所述一次酸洗液中HNO3:HF:CH3COOH和H2SO4的体积比为9:9:12:4;所述二次酸洗液中H3PO4、H2O2、H2O和CH3COOH的体积比为1:0.8:3:0.2。虽然本专利方法能够对于二极管芯片酸洗作出一定的改善,但是依然存在酸洗后电性良率不足,表面铜、铅等物质不易冲洗的问题。

因此,提出一种能够有效提高电性良率和二极管的高温反偏和高温存储两个可靠性指标的技术方案成为迫切需要。

发明内容

本发明要解决的技术问题是:提供一种用于二极管清洗的混合酸、生产方法、二极管清洗方法,本发明通过混酸的配方改良,能够最大程度洗净切割面毛糙,有效避免了酸洗可能导致的表面腐蚀坑,提高了产品的电性良率,提高二极管高温反偏和高温存储两个可靠性指标。酸洗最后的冲洗工艺引入氨水配方,解决了铜、铅等物质不易冲洗的问题,从而进一步提高了产品的电性良率及二极管高温反偏和高温存储可靠性。

本发明要解决的技术问题的技术方案是:

用于二极管清洗的混合酸,混合酸由氢氟酸、醋酸、硫酸和硝酸组成,所述氢氟酸:醋酸:硫酸:硝酸的体积比为=8.8:13:5.6:9.2。

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