[发明专利]用于二极管清洗的混合酸、生产方法、二极管清洗方法有效
申请号: | 201711248404.2 | 申请日: | 2017-12-01 |
公开(公告)号: | CN108010833B | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 刘云燕;李昊阳;袁文峰;李钊;付圣贵;袁欣;孙艳 | 申请(专利权)人: | 山东理工大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L29/861 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
地址: | 255000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 二极管 清洗 混合 生产 方法 | ||
1.用于二极管清洗的混合酸的生产方法,其特征在于:
包括如下步骤:
在温度25±5℃时,按照以下顺序加入原料,其中混合酸由氢氟酸、醋酸、硫酸和硝酸组成,所述氢氟酸:醋酸:硫酸:硝酸的体积比为=8.8:13:5.6:9.2;
步骤1:在容器中加入浓度为99.6~99.9%的醋酸,然后加入浓度为49±0.5%的氢氟酸,搅拌10~15分钟;
步骤2:再加入浓度为68±0.5%的硝酸,搅拌15分钟;
步骤3:最后加入浓度为98.1±0.5%的硫酸,混合后搅拌2~3小时。
2.根据权利要求1所述的用于二极管清洗的混合酸的生产方法,其特征在于:
氢氟酸的浓度为49%;
醋酸的浓度为99.7%;
硫酸的浓度为98%;
硝酸的浓度为68%。
3.根据权利要求1或2所述的用于二极管清洗的混合酸的生产方法,其特征在于:
所述搅拌方法采用机械搅拌或泵循环搅拌。
4.根据权利要求1所述的用于二极管清洗的混合酸的生产方法,其特征在于:
所述步骤3反应完成后,再对容器中的反应物进行抽真空减压脱色处理。
5.根据权利要求4所述的用于二极管清洗的混合酸的生产方法,其特征在于:
所述抽真空减压脱色的时间为10分钟。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造