[发明专利]半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法有效
| 申请号： | 201711246759.8 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN109870418B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 韩杰 | 申请（专利权）人： | 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N21/31 | 分类号： | G01N21/31;G01N1/38 |
| 代理公司： | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人： | 李伟波;韩德凯 |
| 地址： | 100086 北京市海淀区中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法，其包括：使用半导体性单壁碳纳米管样品形成半导体性单壁碳纳米管溶液；测量半导体性单壁碳纳米管溶液的吸收光谱；以及基于吸收光谱中的极值确定出半导体性单壁碳纳米管样品的纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 性单壁碳 纳米 纯度 测量方法 | ||
【主权项】：
1.半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法，其特征在于，所述方法包括：使用半导体性单壁碳纳米管样品形成半导体性单壁碳纳米管溶液；测量所述半导体性单壁碳纳米管溶液的吸收光谱；以及基于所述吸收光谱中的极值确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度。
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