[发明专利]分栅闪存单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201711233495.2 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108091659B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种分栅闪存及其制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干个闪存晶体管，每个闪存晶体管包括位于半导体衬底表面的浮栅、存储介质层、控制栅、位于控制栅和存储介质层一侧的侧墙；在相邻两个闪存晶体管相对的侧壁、底壁上形成牺牲氧化层；去除部分所述底壁上的牺牲氧化层；在暴露出的半导体衬底表面形成多晶硅层；在所述多晶硅层表面隧穿氧化层和字线多晶硅层。本发明中，能够降低字线与浮栅之间的耦合，提高擦除性能，降低漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种分栅闪存单元的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干个闪存晶体管，每个闪存晶体管包括位于半导体衬底表面的浮栅、存储介质层、控制栅、位于控制栅和存储介质层一侧的侧墙；在相邻两个闪存晶体管相对的侧壁、底壁上形成牺牲氧化层；去除部分所述底壁上的牺牲氧化层；在暴露出的半导体衬底表面形成多晶硅层；在所述多晶硅层表面隧穿氧化层和字线多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
